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ME50N06A
N沟道，60V（D-S）MOSFET
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- 描述
- N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如液晶显示器（LCD）逆变器、计算机电源管理以及需要低在线功率损耗的直流 - 直流转换器电路
- 品牌名称
- MATSUKI(松木)
- 商品型号
- ME50N06A
- 商品编号
- C165231
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.465克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V,50A | |
| 耗散功率(Pd) | 59.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 37.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.28nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 62pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 202pF |
商品概述
ME50N06A 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度 DMOS 沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如液晶显示器（LCD）逆变器、计算机电源管理以及需要低在线功率损耗的 DC - DC 转换电路。
商品特性
- 在 Vgs = 10 V 时，RDS(ON) ≤ 22 mΩ
- 超高密度单元设计，实现极低的 RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
应用领域
- 电源管理
- DC/DC 转换器
- 液晶电视和显示器逆变器
- 冷阴极荧光灯管（CCFL）逆变器
- 次级同步整流