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NTR5198NLT1G
1个N沟道 耐压:60V 电流:2.2A
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- 描述
- 功率 MOSFET，60V，155 mΩ，单 N 沟道，逻辑电平，SOT?23
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTR5198NLT1G
- 商品编号
- C163243
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 205mΩ@4.5V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 182pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
https://www.onsemi.cn/PowerSolutions/product.do?id=NTR5198NLT1G
NTR5198NL: 功率场效应管 MOSFET 60V 2.2A 155 mΩ 单N沟 SOT-23
Power MOSFET 60V 2.2A 155 mOhm Single N-Channel SOT-23
-
特性
- Low RDS(on) 低导通电阻
- High Current Capability 大电流
- These Devices are PbFree, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 无铅
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优势
- Minimize Conduction Losses
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
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