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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

RU3090M

1个N沟道 耐压:30V 电流:98A

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描述
NMOS,30V/98A, Rds=1.7m ohm,Vgs=+-20V,厂家封装名: PDFN5060
商品型号
RU3090M
商品编号
C160654
商品封装
DFN-8(5.6x5.2)​
包装方式
编带
商品毛重
0.211克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)98A
导通电阻(RDS(on))5mΩ@4.5V,20A
耗散功率(Pd)66W
阈值电压(Vgs(th))-
属性参数值
栅极电荷量(Qg)58nC@10V
输入电容(Ciss)3.84nF
反向传输电容(Crss)185pF
工作温度-
类型N沟道
输出电容(Coss)850pF

数据手册PDF