商品概述

该功率逻辑8位可寻址锁存器控制开漏DMOS晶体管输出，专为数字系统中的通用存储应用设计。它是一款多功能器件，可作为8个可寻址锁存器，或带有低电平有效DMOS输出的8线解复用器工作。每个开漏DMOS晶体管都带有独立的斩波限流电路，可在短路情况下防止器件损坏。可通过控制清零端(CLR)和使能端(G)选择四种不同的工作模式，具体功能详见功能表:在可寻址锁存模式下，数据输入端(D)的数据会被写入被寻址的锁存器，被寻址的DMOS晶体管输出会反转输入数据，所有未被寻址的DMOS晶体管输出保持原有状态；在存储模式下，所有DMOS晶体管输出保持原有状态，不受数据或地址输入影响；为避免锁存器写入错误数据，地址线变化时应将使能端G保持为高电平（无效状态）；在8线解复用模式下，被寻址输出相对于D输入反转，所有其他输出为高电平；在清零模式下，所有输出为高电平，不受地址和数据输入影响。器件提供分离的功率地(PGND)和逻辑地(LGND)引脚，可实现最大的系统灵活性。所有PGND引脚内部相连，每个PGND引脚必须外部连接到电源系统地，以最大程度降低寄生阻抗。LGND和PGND之间必须在外部做单点连接，以减少逻辑电路和负载电路之间的串扰。TPIC6A259提供增强散热双列直插(NE)封装和宽体表面贴装(DW)封装两种封装选择，工作壳温范围为-40℃ 至 125℃。

商品特性

低rDS(on)，典型值1 Ω
输出短路保护
雪崩能量75 mJ
8路350-mA DMOS输出
50 V开关能力
四种不同工作模式
低功耗

应用领域

数字系统通用存储应用
工作寄存器
串行保持寄存器
解码器
解复用器

	属性	参数值
	商品目录	锁存器
	逻辑类型	可寻址锁存器
	输出类型	开漏
	工作电压	4.5V~5.5V
	通道数	8
	拉电流(IOH)	-
	灌电流(IOL)	-

	属性	参数值
	传播延迟(tpd)	-
	系列	TPIC6A259
	工作温度	-40℃~+125℃
	建立时间	10ns
	保持时间	5ns
	静态电流(Iq)	5mA

TPIC6A259NE

商品参数

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