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BSP300H6327XUSA1
1个N沟道 耐压:800V 电流:190mA
- 描述
- N沟道,800V,190mA,20Ω@10V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSP300H6327XUSA1
- 商品编号
- C151504
- 商品封装
- SOT-223-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.194克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 190mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 230pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- N沟道
- 增强型
- 雪崩额定
- VGS(th) = 2.0 … 4.0 V
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- 符合AEC Q101标准
- 符合IEC61249-2-21标准的无卤要求