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NCE0157A2实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE0157A2

1个N沟道 耐压:100V 电流:57A

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描述
使用先进的沟槽技术和设计,提供出色的导通电阻和低栅极电荷,可用于各种应用。
商品型号
NCE0157A2
商品编号
C150553
商品封装
TO-220-3L​
包装方式
管装
商品毛重
2.769克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)57A
导通电阻(RDS(on))17.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)160W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)146.1nC@10V
输入电容(Ciss)3.969nF
反向传输电容(Crss)160.2pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)-

商品特性

  • VDS = 100V,ID = 57A
  • \mathsfRDS(ON) < 17.5mΩ @ \mathsfV\mathsfGS = 10\mathsfV (典型值:14.5mΩ)
  • 具备高ESD能力的特殊工艺技术
  • 用于超低RDS(ON)的高密度单元设计
  • 雪崩电压和电流特性完全表征
  • 高 EAS 下具有良好的稳定性和一致性
  • 散热性能良好的出色封装

应用领域

-电源开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源

数据手册PDF