温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NCE3080KA
1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- NCE3080KA采用先进的沟槽技术和设计，可在栅极电荷较低的情况下提供出色的 $\mathsf{R_{DS(ON)}}$。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE3080KA
- 商品编号
- C152149
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.453克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@5V,24A | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 51nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.33nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 230pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 460pF |
商品概述
NCE3080KA采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)，适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30V，漏极电流ID = 80A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 6.5 mΩ
- 当栅源电压VGS = 5V时，导通电阻RDS(ON) < 10 mΩ
- 高密度单元设计，实现极低的导通电阻Rdson
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 具有高单脉冲雪崩能量EAS，稳定性和一致性良好
- 采用散热性能出色的封装
应用领域
- 功率开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源
相似推荐
其他推荐