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NCE0103Y
1个N沟道 耐压:100V 电流:3A
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- 描述
- N沟道，100V，3A，136毫欧@10V。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE0103Y
- 商品编号
- C153001
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.041克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@4.5V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
NCE0103Y采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)，适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100V，漏极电流ID = 3A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 160 mΩ（典型值：136 mΩ）
- 当栅源电压VGS = 4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 170 mΩ（典型值：140 mΩ）
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻Rdson
- 雪崩电压和电流特性全面表征
- 采用散热性能良好的封装
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源