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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE4060K

1个N沟道 耐压:40V 电流:60A

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描述
NCE4060K采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品型号
NCE4060K
商品编号
C150550
商品封装
TO-252-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.547克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)60A
导通电阻(RDS(on))13mΩ@10V,20A
耗散功率(Pd)65W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)29nC@10V
输入电容(Ciss)1.8nF
反向传输电容(Crss)190pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)280pF

商品概述

NCE4060K采用先进的沟槽技术和设计,可提供低栅极电荷下的出色RDS(ON),适用于多种应用场景。

商品特性

  • VDS = 40V,ID = 60A
  • 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 13 mΩ
  • 高密度单元设计,实现超低Rdson
  • 具备全面表征的雪崩电压和电流
  • 高EAS下稳定性和一致性良好
  • 采用散热性能出色的封装
  • 特殊工艺技术,具备高ESD能力

应用领域

  • 负载开关-硬开关和高频电路-不间断电源

数据手册PDF