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KND3404B
N沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：RDS(ON)典型值 = 5.0mΩ（典型值），VGS = 10V。 使用CRM(CQ)先进沟槽MOS技术。 极低的导通电阻RDS(on)。 出色的Qg x RDS(on)乘积（FOM）。 符合JEDEC标准。应用：电机控制和驱动。 电池管理
- 品牌名称
- KIA
- 商品型号
- KND3404B
- 商品编号
- C1509094
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@4.5V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 92W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 47.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 290pF |