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KNP2804C
150A、40V N沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：RDS(ON), typ.=3.0mΩ(typ.)@Vss=10V。 使用CRM(CQ)先进沟槽MOS技术。 出色的QgxRDS(on)乘积(FOM)。 极低的导通电阻RDS(on)。应用：电机控制和驱动。 电池管理
- 品牌名称
- KIA
- 商品型号
- KNP2804C
- 商品编号
- C1509095
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.75克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 230W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 120nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 640pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 690pF |
商品概述
- 台式电脑电源管理-直流-直流转换器
商品特性
- 漏源导通电阻 [RDS(ON)] 典型值:在栅源电压 (VGS) 为 10 V 时为 3.0 mΩ
- 采用 CRM(CQ) 先进沟槽 MOS 技术
- 具备出色的栅极电荷 (Qg) 与漏源导通电阻 [RDS(ON)] 乘积(品质因数 FOM)
- 极低的导通电阻 [RDS(ON)]
应用领域
- 电机控制与驱动
- 电池管理
- 不间断电源 (UPS)