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KNP1906A
N沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：RDS(on) = 2.2mΩ (典型值) @ VGS = 10V。 可提供无铅和环保型器件。 低RDS(on)以最小化传导损耗。 高雪崩电流。应用：电源。 UPS
- 品牌名称
- KIA
- 商品型号
- KNP1906A
- 商品编号
- C1509100
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.81克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 230A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@10V,80A | |
| 耗散功率(Pd) | 254W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 182nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.85nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 565pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.24nF |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30 V
- 当栅源电压（VGS）为10V、漏极电流（IDS）为6A时，导通电阻RDS(ON) ≤ 10.5mΩ
- 当栅源电压（VGS）为4.5V、漏极电流（IDS）为5A时，导通电阻RDS(ON) ≤ 16.5mΩ
- 低导通电阻（RDS(ON)）沟槽技术
- 低热阻
- 快速开关速度
- 我们声明该产品的材料无卤且符合RoHS要求。
应用领域
- 直流-直流转换
- 功率路由
- 电机驱动