商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流(Id) | 4A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 44mΩ@10V,4.3A |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
功率(Pd) | 1.4W | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.3V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 12.2nC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.2nF@15V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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