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STF18N60M2
1个N沟道 耐压:600V 电流:13A
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- 描述
- N沟道600 V、0.255 Ohm典型值、13 A MDmesh M2功率MOSFET，TO-220FP封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STF18N60M2
- 商品编号
- C146209
- 商品封装
- TO-220FP
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 280mΩ@10V,6.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 21.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 791pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.6pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 40pF |
商品概述
本器件是利用新一代MDmesh技术——MDmesh II Plus low Qg(低栅电荷)N-沟道功率MOSFET进行开发的。这款革命性的功率MOSFET将垂直结构引入到横向版图设计中,从而获得最小的导通电阻和栅极电荷值。因此,它可以完全满足制作高效率电源转换器的严苛要求。
商品特性
- 极低的栅极电荷
- 比前代产品具有更低的导通电阻 x 面积值
- 低栅极输入阻抗
- 100% 雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用
- LLC转换器,谐振转换器