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LND01K1-G
1个N沟道 耐压:650V 电流:330mA
- 描述
- 双向、低导通电阻、低输入电容、快速开关速度、高输入阻抗和高增益、低功率驱动要求、易于并联。是一种低阈值、耗尽型（常开）晶体管，采用先进的横向 DMOS 结构和成熟的硅栅制造工艺。这种组合使器件具备双极晶体管的功率处理能力，以及 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。所有 MOS 结构的特点是，该器件不会出现热失控和热致二次击穿。晶体管的主体连接到栅极引脚，因此沟道同时被栅极和主体夹断。栅极引脚有一个二极管连接到漏极端子，另一个二极管连接到源极端子。
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- LND01K1-G
- 商品编号
- C145615
- 商品封装
- SOT-23-5
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.043克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 330mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@0V,100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 360mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 48pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF | |
| 工作温度 | -25℃~+125℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 32pF |
商品概述
LND01是一款低阈值、耗尽型（常开）晶体管，采用先进的横向DMOS结构和成熟的硅栅制造工艺。这种结合使该器件具备双极晶体管的功率处理能力，以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有MOS结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象。 晶体管的衬底连接到栅极引脚。因此，沟道同时被栅极和衬底夹断。栅极引脚有一个二极管连接到漏极端，另一个二极管连接到源极端。
商品特性
~~- 双向导通-低导通电阻-低输入电容-快速开关速度-高输入阻抗和高增益-低功率驱动要求-易于并联
应用领域
- 常开开关-固态继电器-转换器-恒流源-模拟开关