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DN3135N8-G
1个N沟道 耐压:350V 电流:135mA
- 描述
- DN3135是一款低阈值、耗尽型（常开）晶体管，采用先进的垂直双扩散金属氧化物半导体（DMOS）结构和成熟的硅栅制造工艺。这种组合使该器件兼具双极晶体管的功率处理能力，以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数特性。作为所有MOS结构的共性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- DN3135N8-G
- 商品编号
- C145606
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.137505克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 350V | |
| 连续漏极电流(Id) | 135mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35Ω@0V,150mA | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 120pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 15pF |
商品概述
DN3135是一款低阈值、耗尽型（常开）晶体管，采用先进的垂直DMOS结构和成熟的硅栅制造工艺。这种结合使得该器件具备双极晶体管的功率处理能力，以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有MOS结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象。 微芯科技的垂直DMOS FET非常适合广泛的开关和放大应用，这些应用需要极低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。
商品特性
- 高输入阻抗
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低导通电阻
- 无二次击穿
- 低输入和输出泄漏电流
应用领域
- 常开开关
- 固态继电器
- 转换器
- 线性放大器
- 恒流源
- 电源电路
- 电信