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DN3135N8-G实物图
DN3135N8-G商品缩略图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

DN3135N8-G

1个N沟道 耐压:350V 电流:135mA

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  • PCB免费打样
品牌名称
MICROCHIP(美国微芯)
商品型号
DN3135N8-G
商品编号
C145606
商品封装
SOT-89-3
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)350V
连续漏极电流(Id)135mA
导通电阻(RDS(on))35Ω@0V,150mA
耗散功率(Pd)1.3W
阈值电压(Vgs(th))-
属性参数值
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)120pF
反向传输电容(Crss)10pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)15pF

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