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SST25WF020A-40I/SN
SST25WF020A-40I/SN
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- SST25WF020A-40I/SN
- 商品编号
- C144346
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.169克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | - | |
| 时钟频率(fc) | 40MHz | |
| 工作电压 | 1.65V~1.95V | |
| 擦写寿命 | 100000次 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 页写入时间(Tpp) | 3ms | |
| 块擦除时间(tBE) | - | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | - | |
| 功能特性 | 硬件写保护；写使能锁存；软件写保护；上电复位 |
商品概述
SST25WF020A是串行闪存25系列的一员，具有四线SPI兼容接口，允许使用低引脚数封装，占用更少的电路板空间，最终降低了系统总成本。SPI串行闪存采用专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器实现了更好的可靠性和可制造性。该串行闪存显著提高了性能和可靠性，同时降低了功耗。该器件使用1.65 - 1.95V的单电源进行写入（编程或擦除）。消耗的总能量是施加电压、电流和施加时间的函数。由于在任何给定的电压范围内，SuperFlash技术在编程时使用的电流更少，擦除时间更短，因此在任何编程或擦除操作期间消耗的总能量比其他闪存技术更少。SST25WF020A提供8引脚SOIC、8触点USON和8触点WDFN封装。
商品特性
- 单电压读写操作 - 1.65 - 1.95V
- 串行接口架构
- SPI兼容：模式0和模式3
- 高速时钟频率 - 40MHz
- 卓越的可靠性
- 耐久性：100,000次循环
- 数据保留时间超过20年
- 超低功耗：
- 活动读取电流：4mA（典型值）
- 待机电流：10μA（典型值）
- 掉电模式待机电流：4μA（典型值）
- 灵活的擦除能力：
- 统一的4KB扇区
- 统一的64KB覆盖块
- 页面编程模式 - 256字节/页
- 快速擦除和页面编程：
- 芯片擦除时间：300ms（典型值）
- 扇区擦除时间：40ms（典型值）
- 块擦除时间：80ms（典型值）
- 页面编程时间：3ms/256字节（典型值）
- 写入结束检测：通过软件轮询状态寄存器中的BUSY位
- HOLD引脚（HOLD#）：在不取消选择设备的情况下暂停串行序列
- 写保护（WP#）：
- 启用/禁用状态寄存器的锁定功能
- 软件写保护
- 通过状态寄存器中的块保护位进行写保护
- 温度范围：工业级 -40°C至 +85°C
- 可用封装：
- 8引脚SOIC（150密耳）
- 8触点USON（2mm x 3mm）
- 8触点WDFN（5mm x 6mm）
- 所有设备均符合RoHS标准