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DNLS320E-13
NPN 电流:3A 电压:20V
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- 描述
- 特性：外延平面芯片结构。 低集电极-发射极饱和电阻：在3A时，RCE(SAT) = 80mΩ。 高直流电流增益：在IC = 2A时，hF > 400。 有互补PNP类型。 适合自动化组装工艺。 适用于中功率开关或放大应用。 无铅设计/符合RoHS标准。 环保器件
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DNLS320E-13
- 商品编号
- C144152
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.232克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 3A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 直流电流增益(hFE) | 400@2A,2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 150MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 180mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V |