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NTS2101PT1G
1个P沟道 耐压:8V 电流:1.4A
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- 描述
- 这是一款 8.0 V P 沟道功率 MOSFET。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTS2101PT1G
- 商品编号
- C140583
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 8V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 117mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 330mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.4nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 640pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 82pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品特性
- 领先的沟槽技术实现低导通电阻(RDS(on)),延长电池续航
- 额定电压 -1.8 V,适用于低电压栅极驱动
- SC-70 表面贴装,占位面积小(2 x 2 mm)
- 提供无铅封装
应用领域
- 高端负载开关
- 充电电路
- 单节电池应用,如手机、数码相机、个人数字助理(PDA)等