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NTGD4167CT1G
N沟道+P沟道 耐压:30V 电流:2.6A
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- 描述
- 功率 MOSFET，互补，30V，+2.9/-2.2 A，TSOP-6 双
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTGD4167CT1G
- 商品编号
- C140582
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@2.5V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 419pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 51pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个3000个/圆盘
总价金额：
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