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STD25NF10LA
N沟道 耐压:100V 电流:25A
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- 描述
- N沟道100 V - 0.030 Ohm - 25 A - DPAK StripFET(TM) II功率MOSFET
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD25NF10LA
- 商品编号
- C140392
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.394克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V,12.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
这款功率MOSFET采用STripFET工艺开发，该工艺专门用于最小化输入电容和栅极电荷。这使得该器件适用于电信和计算机应用中的先进高效隔离式DC - DC转换器的初级开关，以及对栅极电荷驱动要求较低的应用。
商品特性
- 出色的dv/dt能力
- 100%雪崩测试
- 逻辑电平器件
应用领域
- 开关应用
- 汽车领域
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