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LN2302BLT1G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

LN2302BLT1G

1个N沟道 耐压:20V 电流:2.8A

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描述
N沟道
商品型号
LN2302BLT1G
商品编号
C135803
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.031克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)2.8A
导通电阻(RDS(on))130mΩ@1.8V,2.2A
耗散功率(Pd)1.25W
阈值电压(Vgs(th))1V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)9nC@4.5V
输入电容(Ciss)450pF
反向传输电容(Crss)22pF
工作温度-
类型N沟道
输出电容(Coss)72pF

商品特性

  • 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) ≤ 85mΩ
  • 在VGS = 2.5V时,RDS(ON) ≤ 115mΩ
  • 在VGS = 1.8V时,RDS(ON) ≤ 135mΩ
  • 超高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)
  • 出色的导通电阻和最大直流电流能力
  • S前缀适用于汽车及其他有特殊产地和控制变更要求的应用;符合AEC - Q101标准,可提供生产件批准程序(PPAP)文件。

应用领域

  • 笔记本电脑电源管理-便携式设备-负载开关-数码相机(DSC)

数据手册PDF