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PMGD280UN,115
2个N沟道 耐压:20V 电流:0.87A
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- 描述
- 采用TrenchMOS™技术、塑料封装的双N沟道增强型场效应晶体管。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMGD280UN,115
- 商品编号
- C135817
- 商品封装
- TSSOP-6(SOT-363)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.022克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 870mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 660mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 400mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 890pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
采用TrenchMOS技术的塑料封装双N沟道增强型场效应晶体管。
商品特性
-表面贴装封装-封装尺寸比SOT23小40%-双器件-快速开关-低导通电阻-低阈值电压
应用领域
-驱动电路-便携式设备中的开关