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L2N7002FLT1G
停产 1个N沟道 耐压:30V
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- 描述
- 特性：RDS(ON) ≤ 8Ω@VGS = 4V。 RDS(ON) ≤ 13Ω@VGS = 2.5V。 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)。 出色的导通电阻和最大直流电流能力。 能够进行铜线键合。 ESD保护：1000V。应用：笔记本电脑电源管理。 便携式设备
- 品牌名称
- LRC(乐山无线电)
- 商品型号
- L2N7002FLT1G
- 商品编号
- C135804
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13Ω@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 225mW；300mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 21pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 10pF |
商品特性
- 在VGS = 4V时,RDS(ON) ≤8Ω
- 在VGS = 2.5V时,RDS(ON) ≤13Ω
- 超高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流承载能力
- 可进行铜丝键合
- 静电防护:1000V
应用领域
-笔记本电脑电源管理-便携式设备-电池供电系统-负载开关
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