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LNTA4001NT1G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

LNTA4001NT1G

1个N沟道 耐压:20V 电流:238mA

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描述
N沟道
商品型号
LNTA4001NT1G
商品编号
C136170
商品封装
SC-89​
包装方式
编带
商品毛重
0.376克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)238mA
导通电阻(RDS(on))3.5Ω@2.5V,10mA
耗散功率(Pd)300mW
阈值电压(Vgs(th))1.5V@100uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)-
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)-

商品特性

  • 低栅极电荷,实现快速开关
  • 1.6 x 1.6 mm小尺寸封装
  • 栅极具备ESD保护
  • 提供无铅封装
  • ESD保护:2000V
  • S前缀适用于汽车及其他有特殊产地和控制变更要求的应用;符合AEC - Q101标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力。

应用领域

  • 电源管理负载开关
  • 电平转换
  • 便携式应用,如手机、媒体播放器、数码相机、个人数字助理(PDA)、视频游戏、手持电脑等。

数据手册PDF