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M95080-WMN6P

带高速时钟的8K位串行SPI总线EEPROM

描述: M95080 系列器件是电可擦除可编程存储器（EEPROM），存储容量为 1024×8 位，通过 SPI 总线进行访问。M95080-W 的工作电源电压范围为 2.5 V 至 5.5 V；M95080-R 的工作电源电压范围为 1.8 V 至 5.5 V；M95080-DF 的工作电源电压范围为 1.7 V 至 5.5 V，环境温度范围为 -40℃ 至 +85℃。
品牌名称: ST(意法半导体)
商品型号: M95080-WMN6P
商品编号: C1349318
商品封装: SOIC-8
包装方式: 管装
商品毛重: 0.16克(g)

商品参数

	属性	参数值
	数据保留 - TDR(年)	200年
	写周期寿命	400万次
	功能特性	内置上电复位(POR)；页写保护功能；硬件写保护功能；内置写使能锁存器(WEL)；软件写保护功能
	工作电压	2.5V~5.5V
	工作温度	-40℃~+85℃

商品概述

M95080系列器件是电可擦除可编程存储器（EEPROM），组织为1024×8位，通过串行外设接口（SPI）总线访问。M95080-W的工作电压范围为2.5V至5.5V，M95080-R为1.8V至5.5V，M95080-DF为1.7V至5.5V，环境温度范围为-40℃至+85℃。M95080-D提供额外的识别页（32字节），可存储敏感应用参数，之后可永久锁定为只读模式。SPI总线信号包括C、D和Q；当片选（S）被拉低时器件被选中，当HOLD被拉低时通信可被中断。

商品特性

兼容串行外设接口（SPI）总线
8 Kb（1千字节）EEPROM，页大小32字节，额外可写锁定页（识别页）
字节写入时间≤5 ms，页写入时间≤5 ms
写保护支持四分之一、一半或整个存储阵列
高速时钟可达20 MHz
单电源电压：
- M95080-W：2.5V至5.5V
- M95080-R：1.8V至5.5V
- M95080-DF：1.7V至5.5V
工作温度范围：-40℃至+85℃
增强型ESD保护
写入周期超过400万次
数据保持时间超过200年
封装类型：SO8（MN，宽度150 mil）、TSSOP8（DW，宽度169 mil）、UFDFPN8（MC，尺寸2×3 mm）
符合RoHS标准且无卤素（ECOPACK2®）

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	EEPROM
	接口类型	SPI
	存储容量	8Kbit
	时钟频率(fc)	20MHz
	写周期时间(Tw)	5ms