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M24C02-FMN6P

M24C02 FMN6P

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描述: 是 1(2)-Kbit I²C 兼容 EEPROM（电可擦可编程存储器），组织为 128 (256) × 8 位。M24C01/02-W 可在 2.5V 至 5.5V 电源电压下访问；M24C01/02-R 可在 1.8V 至 5.5V 电源电压下访问；M24C02-F 可在 1.7V 至 5.5V 电源电压（全温度范围）下访问，若温度降至 0°C / 85°C，也可在 1.6V 至 1.7V 扩展电源电压下访问。所有这些设备的最大时钟频率为 400kHz。
品牌名称: ST(意法半导体)
商品型号: M24C02-FMN6P
商品编号: C1349660
商品封装: SOIC-8
包装方式: 管装
商品毛重: 0.312克(g)

商品参数

商品概述

M24C01(C02)是一款1(2)Kbit的I²C兼容EEPROM（电可擦可编程存储器），组织形式为128(256)×8位。M24C01/02-W可在2.5V至5.5V的电源电压下访问，M24C01/02-R可在1.8V至5.5V的电源电压下访问，M24C02-F可在1.7V至5.5V（全温度范围）或1.6V至1.7V（温度范围限制为0℃/85℃）的电源电压下访问。所有这些器件的最大时钟频率为400kHz。

商品特性

兼容I²C总线模式：400kHz和100kHz
存储阵列：1Kbit（128字节）EEPROM；2Kbit（256字节）EEPROM
页大小：16字节
单电源电压：M24C01/02-W（2.5V至5.5V）、M24C01/02-R（1.8V至5.5V）、M24C02-F（1.7V至5.5V全温/1.6V至1.7V限温）
写入性能：字节写入≤5ms、页写入≤5ms
工作温度范围：-40℃至+85℃
支持随机和顺序读取模式
整个存储阵列写保护功能
增强型ESD/闩锁保护
写入周期超过400万次
数据保留期超过200年
封装类型：TSSOP8（169mil宽度）、SO8（150mil宽度）、PDIP8（不推荐新设计）、UFDFPN8（2×3mm）、UFDFPN5（1.7×1.4mm）
符合RoHS标准且无卤素（ECOPACK2®）

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	EEPROM
	接口类型	I2C
	存储容量	2Kbit
	时钟频率(fc)	400kHz
	写周期时间(Tw)	5ms
	数据保留 - TDR(年)	200年
	写周期寿命	400万次

	属性	参数值
	功能特性	内置上电复位(POR)；硬件写保护功能
	工作电压	1.7V~5.5V
	工作温度	-40℃~+85℃
	工作电流	0.8mA
	待机电流	1uA
	读取访问时间(tA)	900ns