S29GL064S90TFVV10

S29GL - S中密度系列设备是采用65纳米MIRRORBIT™技术制造的3.0V单电源闪存。S29GL064S是一款64Mb的设备，组织形式为4,194,304字或8,388,608字节。根据型号不同，设备只有16位宽的数据总线，或者通过使用BYTE#输入，16位宽的数据总线也可作为8位宽的数据总线使用。这些设备可以在主机系统或标准EPROM编程器中进行编程。访问时间最快可达70ns，每个访问时间都有特定的工作电压范围（VCC），如第6页的“产品选择指南”和第114页的“订购信息”中所述。封装形式包括48引脚TSOP、56引脚TSOP、48球细间距BGA和64球加固BGA，具体取决于型号。每个设备都有单独的芯片使能（CE#）、写使能（WE#）和输出使能（OE#）控制。每个设备的读写功能仅需一个3.0V电源。除了VCC输入外，还通过WP#/ACC或ACC输入上的升压支持高压加速编程（ACC）功能，该功能旨在方便系统生产。该设备完全符合JEDEC单电源闪存标准的命令集。使用标准微处理器写时序将命令写入设备，写周期还会在内部锁存编程和擦除操作所需的地址和数据。扇区擦除架构允许在不影响其他扇区数据内容的情况下擦除和重新编程内存扇区，设备出厂时已完全擦除。高级扇区保护功能提供了多个级别的扇区保护，可以禁用某些扇区的编程和擦除操作。持久扇区保护是一种取代以前12V控制保护方法的方式，密码扇区保护是一种高度复杂的保护方法，在允许更改某些扇区之前需要密码。设备编程和擦除通过命令序列启动。一旦编程或擦除操作开始，主机系统只需轮询DQ7（数据轮询）或DQ6（切换）状态位，或监控Ready/Busy#（RY/BY#）输出，即可确定操作是否完成。为便于编程，解锁旁路模式通过只需要两个写周期来编程数据而不是四个，减少了命令序列开销。硬件数据保护措施包括一个低VCC检测器。

• 具有通用I/O的CMOS 3.0V核心
• 单电源操作
• 采用65纳米MIRRORBIT™工艺技术制造
• 安全硅区域
• 通过8字/16字节随机电子序列号，可通过命令序列实现128字/256字节扇区的永久、安全识别，可在工厂或由客户进行编程和锁定
• 灵活的扇区架构：64Mb（统一扇区型号）有128个32K字（64KB）扇区；64Mb（引导扇区型号）有127个32K字（64KB）扇区 + 8个4K字（8KB）引导扇区
• 自动错误检查和纠正（ECC） - 具有单比特错误纠正功能的内部硬件ECC
• 增强的通用I/O控制
• 所有输入电平（地址、控制和DQ输入电平）和输出由VIO输入上的电压决定，VIO范围为1.65V至VCC
• 与JEDEC标准兼容
• 为单电源闪存提供引脚和软件兼容性，以及出色的意外写入保护
• 每个扇区至少100,000次擦除周期
• 典型20年数据保留期
• 高性能，70ns访问时间，8字/16字节页读取缓冲区，15ns页读取时间
• 128字/256字节写缓冲区，可减少多字更新的总体编程时间
• 低功耗：典型初始读取电流在5MHz时为25mA，典型页读取电流在33MHz时为7.5mA，典型擦除/编程电流为50mA，典型待机模式电流为40μA
• 封装选项：48引脚TSOP、56引脚TSOP、64球加固BGA（LAA064 13mm×11mm×1.4mm，LAE064 9mm×9mm×1.4mm）、48球细间距BGA（VBK048 8.15mm×6.15mm×1.0mm）
• 温度范围：工业级（-40°C至+85°C）、工业增强级（-40°C至+105°C）、汽车级AEC - Q100 3级（-40°C至+85°C）、汽车级AEC - Q100 2级（-40°C至+105°C）
• 软件特性：高级扇区保护提供持久扇区保护和密码扇区保护；编程暂停和恢复功能可在编程操作完成前读取其他扇区；擦除暂停和恢复功能可在擦除操作完成前读取/编程其他扇区；数据#轮询和切换位提供状态；符合通用闪存接口（CFI），允许主机系统识别和适配多个闪存设备；解锁旁路编程命令可减少总体多字编程时间
• 硬件特性：WP#/ACC输入支持制造编程操作（施加高压时），在统一扇区型号中，无论扇区保护设置如何，都可保护第一个或最后一个扇区；硬件复位输入（RESET#）可复位设备；Ready/Busy#输出（RY/BY#）可检测编程或擦除周期完成情况