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S25FS256SAGNFI001

MirrorBit闪存非易失性存储器，1.8V单电源供电，带CMOS I/O接口，具备多I/O功能的串行外设接口

描述: 特性：密度:128 Mbits (16 Mbytes)。256 Mbits (32 Mbytes)。串行外设接口 (SPI):SPI时钟极性和相位模式0和3。双倍数据速率 (DDR) 选项。扩展寻址：24位或32位地址选项。串行命令子集和引脚布局与S25FL-A、S25FL-K、S25FL-P和S25FL-S SPI系列兼容
品牌名称: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
商品型号: S25FS256SAGNFI001
商品编号: C1350769
商品封装: WSON-8-EP(6x8)
包装方式: 托盘
商品毛重: 0.001克(g)

商品参数

	属性	参数值
	待机电流	0.07mA
	擦写寿命	100000次
	数据保留 - TDR(年)	20年
	工作温度	-40℃~+105℃
	功能特性	硬件写保护；绝对写保护；写使能锁存；软件写保护

商品特性

容量：
- 128兆位（16兆字节）
- 256兆位（32兆字节）
串行外设接口（SPI）：
- SPI时钟极性和相位模式0和3
- 双倍数据速率（DDR）选项
- 扩展寻址：24位或32位地址选项
- 串行命令子集和引脚布局与S25FL - A、S25FL - K、S25FL - P和S25FL - S SPI系列兼容
- 多I/O命令子集和引脚布局与S25FL - P和S25FL - S SPI系列兼容
读取：
- 命令：普通、快速、双I/O、四I/O、DDR四I/O
- 模式：突发回绕、连续（XIP）、QPI
- 串行闪存可发现参数（SFDP）和通用闪存接口（CFI），用于配置信息
编程：
- 256字节或512字节页面编程缓冲区
- 编程暂停和恢复
擦除：
- 混合扇区选项
- 物理上有八个4千字节扇区和一个32千字节扇区，位于地址空间顶部或底部，其余扇区均为64千字节
- 统一扇区选项
- 统一的64千字节或256千字节块，以便与更高容量和未来设备实现软件兼容
- 擦除暂停和恢复
- 擦除状态评估
- 任何扇区至少有100,000次编程 - 擦除循环
- 典型数据保留时间为20年
安全特性：
- 1024字节的一次性可编程（OTP）阵列
- 块保护：
  - 状态寄存器位用于控制保护

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH
	接口类型	SPI
	存储容量	256Mbit
	时钟频率(fc)	133MHz
	工作电压	1.7V~2V