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S29GL01GS11DHIV10

GL-S闪存

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描述: 采用65纳米制程技术制造。这些设备提供了快速的页面访问时间，最快可达15 ns，相应的随机访问时间最快可达90 ns。它们具有一个写缓冲区，允许在一次操作中最多编程256个字/512字节，比标准编程算法具有更快的有效编程时间。这使得这些设备非常适合当今需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。
品牌名称: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
商品型号: S29GL01GS11DHIV10
商品编号: C1349852
商品封装: FBGA-64(9x9)
包装方式: 托盘
商品毛重: 0.3克(g)

商品参数

安装类型	表面贴装型
封装/外壳	64-LBGA
工作温度	-40°C ~ 85°C（TA）
技术	FLASH - NOR
存储器格式	闪存
供应商器件封装	64-FBGA（9x9）
存储容量	1Gb（64M x 16）
写周期时间-字，页	60ns
存储器接口	并联
访问时间	110ns
电压-供电	1.65V ~ 3.6V

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	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH
	接口类型	并口(Parallel)
	存储容量	1Gbit
	工作电压	2.7V~3.6V
	待机电流	100uA

	属性	参数值
	擦写寿命	100000次
	页写入时间(Tpp)	-
	数据保留 - TDR(年)	20年
	工作温度	-40℃~+85℃