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S29GL256P11TFI020
Gbit、512、256、128 Mbit、3V、采用 90nm MirrorBit 工艺技术的页闪存
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- 描述
- 的 S29GL01G/512/256/128P 是采用 90 纳米制程技术制造的 Mirrorbit 闪存产品。这些器件的页面访问时间仅 25 纳秒，随机访问时间最快可达 90 纳秒。它们配备写缓冲器，一次操作最多可对 32 个字/64 字节进行编程，与标准编程算法相比，有效编程时间更短
- 商品型号
- S29GL256P11TFI020
- 商品编号
- C1350069
- 商品封装
- TSOP-56-14.0mm
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | Parallel | |
| 存储容量 | 256Mbit | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 待机电流 | 1uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 擦写寿命 | 100000次 | |
| 写周期时间(Tw) | 110ns | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 硬件写保护；上电复位 |
- S25FS064SDSNFN030
- S25FL256LAGNFI010
- S29GL256P11TFI010
- S25FL256SDSMFB010
- S25FS256SAGNFI001
- S29CD016J0MQFM110
- S70GL02GT11FHA010
- S25FL128SDSMFV001
- S29GL01GS10DHI010
- S25FL064LABMFB010
- S26KS512SDGBHM030
- S29CL016J0JQFM030
- S29CL016J1JQFM033
- S29GL256S10DHI010
- S29GL128S11FHIV10
- S70GL02GT12FHIV10
- S29GL01GS12DHVV10
- S70GL02GT12FHAV10
- S29GL256S10DHIV10
- S29GL032N11TFIV20
- S29GL512T11DHB020
- AS6C4008-55ZIN
- 71321LA20PFG
- 7130LA100PDG
- 24AA128-I/MF
- MT41K128M16JT-125 AIT:K TR
- AS6C4008-55SIN
- AS4C16M16SA-6BIN
- MT25QL512ABB8ESF-0SIT
- 71321LA25PFGI
- IS43LR32640A-6BLI
- DS1230AB-70IND+
- IS63WV1024BLL-12TLI
- AS7C3256A-12TCN
- DS1220AD-100+
- 25LC256-E/SM
- AS7C256A-10TIN
- 71V30S55TFG
- AS4C64M16D1A-6TCN
- DS1225AD-70IND+
- AT25160B-XHL-B
- 7132LA100PDG