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S29GL256P11TFI020
Gbit、512、256、128 Mbit、3V、采用 90nm MirrorBit 工艺技术的页闪存
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- 描述
- 的 S29GL01G/512/256/128P 是采用 90 纳米制程技术制造的 Mirrorbit 闪存产品。这些器件的页面访问时间仅 25 纳秒，随机访问时间最快可达 90 纳秒。它们配备写缓冲器，一次操作最多可对 32 个字/64 字节进行编程，与标准编程算法相比，有效编程时间更短
- 商品型号
- S29GL256P11TFI020
- 商品编号
- C1350069
- 商品封装
- TSOP-56-14.0mm
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 256Mbit | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 待机电流 | 1uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 擦写寿命 | 100000次 | |
| 写周期时间(Tw) | 110ns | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 技术 | FLASH - NOR |
| 存储器格式 | 闪存 |
| 供应商器件封装 | 56-TSOP |
| 存储容量 | 256Mb（32M x 8） |
| 写周期时间-字，页 | 110ns |
| 存储器接口 | 并联 |
| 访问时间 | 110ns |
| 电压-供电 | 2.7V ~ 3.6V |
优惠活动
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