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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

RU75110S

1个N沟道 耐压:75V 电流:110A

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描述
N沟道MOSFET. VDS=75V, ID=110A. 导通电阻=5.5mR
商品型号
RU75110S
商品编号
C131899
商品封装
TO-263​
包装方式
管装
商品毛重
2.154克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)75V
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))7mΩ@10V
耗散功率(Pd)188W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)45nC@10V
输入电容(Ciss)4.35nF
反向传输电容(Crss)260pF
工作温度-
类型-
输出电容(Coss)450pF

商品特性

  • 75V/110A,VGS = 10 V时,RDS(ON) = 5.5 mΩ(典型值)
  • 超高密度单元设计
  • 超低导通电阻
  • 100%雪崩测试
  • 提供无铅环保器件(符合RoHS标准)

应用领域

  • DC-DC转换器和离线式UPS

数据手册PDF