AT89C51ED2-RLTUM

AT89C51RD2/ED2 是80C51 CMOS单芯片8位微控制器的高性能CMOS闪存版本。它包含一个64-K字节的闪存块，用于代码和数据存储。64-K字节的闪存可以通过并行模式或具有ISP功能的串行模式，或者通过软件进行编程。编程电压从标准Vcc引脚内部生成。

AT89C51RD2/ED2 保留了Atmel 80C52的所有特性，包括256字节的内部RAM、9源4级中断控制器和三个定时器/计数器。AT89C51ED2 提供2048字节的EEPROM，用于非易失性数据存储。

此外，AT89C51RD2/ED2 具有可编程计数器阵列、1792字节的XRAM、硬件看门狗定时器、SPI接口、键盘、更灵活的便于多处理器通信的串行通道（EUART）以及速度提升机制（X2模式）。

AT89C51RD2/ED2 的全静态设计允许通过将时钟频率降低到任何值（包括直流电），来减少系统功耗，而不会丢失数据。AT89C51RD2/ED2 有两个软件可选的低活动模式和一个8位时钟预分频器，以进一步降低功耗。在空闲模式下，CPU被冻结，但外设和中断系统仍然运行。在掉电模式下，RAM被保存，所有其他功能停止工作。

AT89C51RD2/ED2 增加的功能使其在需要脉宽调制、高速I/O和计数能力的应用中更为强大，例如报警、电机控制、有线电话和智能卡读取器。

• 80C52 兼容 – 8051 指令兼容 – 六个8位I/O端口（64引脚或68引脚版本）– 四个8位I/O端口（44引脚版本）– 三个16位定时器/计数器 – 256字节暂存RAM – 9个中断源，具有4个优先级
• 集成电源监控（POR/PFD）以监督内部电源
• 使用标准Vcc电源进行ISP（在系统编程）
• 2048字节引导ROM包含低级闪存编程例程和默认串行加载器
• 高速架构 – 在标准模式下：- 40 MHz（Vcc 2.7V至5.5V，内部和外部代码执行）- 60 MHz（Vcc 4.5V至5.5V且仅内部代码执行）– 在X2模式（6个时钟/机器周期）下：- 20 MHz（Vcc 2.7V至5.5V，内部和外部代码执行）- 30 MHz（Vcc 4.5V至5.5V且仅内部代码执行）
• 64K字节片上闪存程序/数据存储器 – 字节和页（128字节）擦除和写入 – 100k次写入周期
• 片上1792字节扩展RAM（XRAM）– 软件可选大小（0, 256, 512, 768, 1024, 1792字节）– 复位时选择768字节以兼容T89C51RD2
• 片上2048字节EEPROM块用于数据存储（仅AT89C51ED2）
• 100k次写入周期
• 双数据指针
• 支持慢速RAM/外设的可变长度MOVX
• 增强型X2模式，CPU和每个外设独立选择
• 端口1上的键盘中断接口
• SPI接口（主/从模式）
• 8位时钟预分频器
• 16位可编程计数器阵列 – 高速输出 – 比较/捕获 – 脉宽调制器 – 看门狗定时器功能
• 异步端口复位
• 具有专用内部波特率发生器的全双工增强型UART
• 低EMI（禁止ALE）
• 硬件看门狗定时器（一次性启用带复位输出），掉电标志
• 电源控制模式：空闲模式、掉电模式
• 单电压范围电源：2.7V至5.5V
• 工业温度范围（-40至+85°C）
• 封装：PLCC44, VQFP44, PLCC68, VQFP64