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BSC109N10NS3G
1个N沟道 耐压:100V 电流:63A
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- 描述
- 特性：非常低的栅极电荷，适用于高频应用。 针对直流-直流转换进行优化。 N 沟道，正常电平。 出色的栅极电荷 × 导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。 极低的导通电阻 RDS(on)。 150℃工作温度。 无铅引脚镀层，符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSC109N10NS3G
- 商品编号
- C131006
- 商品封装
- TDSON-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 63A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@6V,23A | |
| 耗散功率(Pd) | 78W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@45uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 440pF |
商品特性
- 适用于高频应用的极低栅极电荷
- 针对 DC-DC 转换进行优化
- N 沟道，正常电平
- 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积（品质因数 FOM）
- 极低的导通电阻 RDS(on)
- 工作温度达 150°C
- 无铅引脚镀层；符合 RoHS 标准
- 针对目标应用通过 JEDEC 认证
- 根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品