SCT20N120
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描述
碳化硅功率MOSFET,1200 V、20 A、189 mOhm(典型值,Tj = 150 C),HiP247封装
- 品牌名称ST(意法半导体)
商品型号
SCT20N120商品编号
C127907商品封装
HiP-247包装方式
管装
商品毛重
4克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
沟道类型 | 1个N沟道 | |
V(BR)DSS-漏源击穿电压 | 1200V |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
Id-漏极电流(25℃) | 20A | |
Pd-功耗 | 175W |
梯度价格
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