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STPSC8H065B-TR
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- 描述
- 650 V、8 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STPSC8H065B-TR
- 商品编号
- C127911
- 商品封装
- TO-252-2(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.475克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅二极管 | |
| 二极管配置 | - | |
| 整流电流 | 8A | |
| 正向压降(Vf) | 1.75V@8A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流反向耐压(Vr) | 650V | |
| 反向电流(Ir) | 80uA@650V | |
| 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) | 75A | |
| 工作结温范围 | -40℃~+175℃ |
商品概述
该SiC二极管是一款高性能功率肖特基二极管。它采用碳化硅衬底制造，宽带隙材料使其肖特基二极管结构可设计为650 V额定电压。由于肖特基结构，关断时无恢复现象，振铃模式可忽略不计，最小容性关断行为不受温度影响。其高正向浪涌能力确保在瞬态阶段具有良好的鲁棒性，特别适用于硬开关条件下的应用。
商品特性
- 在应用电流范围内无反向恢复电荷
- 开关特性不受温度影响
- 高正向浪涌能力
- 绝缘封装TO-220AC Ins：
- 绝缘电压：2500 V rms
- 典型封装电容：7 pF
- 封装环氧树脂符合UL94 V0标准
- 推荐扭矩值：0.55 N·m
- 最大扭矩值：0.7 N·m
- 冷却方式：传导（C）
应用领域
- 功率因数校正（PFC）应用
- 硬开关条件下的应用