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STPSC406B-TR
600V功率碳化硅肖特基二极管
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- 描述
- SiC二极管是一种超高性能功率肖特基二极管，采用碳化硅衬底制造。宽带隙材料允许设计额定电压为600V的肖特基二极管结构。由于肖特基结构，关断时无恢复，振铃模式可忽略不计。最小电容关断特性与温度无关。ST SiC二极管将提升硬开关条件下PFC操作的性能。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STPSC406B-TR
- 商品编号
- C127908
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.475克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅二极管 | |
| 二极管配置 | - | |
| 整流电流 | 4A | |
| 正向压降(Vf) | 1.9V@4A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流反向耐压(Vr) | 600V | |
| 反向电流(Ir) | 50uA@600V | |
| 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) | 14A | |
| 工作结温范围 | -40℃~+175℃ |
商品概述
碳化硅二极管是一种高性能功率肖特基二极管，采用碳化硅衬底制造。宽禁带材料使其能够设计出额定电压为600V的肖特基二极管结构。由于肖特基结构，关断时无恢复现象，且振铃模式可忽略不计。最小电容关断特性与温度无关。碳化硅二极管可提升硬开关条件下功率因数校正（PFC）操作的性能。
商品特性
- 无或可忽略的反向恢复
- 开关特性与温度无关
- 专用于PFC升压二极管
应用领域
- 硬开关条件下的功率因数校正（PFC）操作
- PFC升压二极管应用