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M95040-WMN6TP
支持高速时钟的Kbit串行SPI总线EEPROM
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- 描述
- 4 Kbit SPI总线EEPROM，带高速时钟
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- M95040-WMN6TP
- 商品编号
- C118282
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.235克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | EEPROM | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 4Kbit | |
| 时钟频率(fc) | 5MHz~20MHz | |
| 写周期时间(Tw) | 5ms |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数据保留 - TDR(年) | 200年 | |
| 写周期寿命 | 400万次 | |
| 功能特性 | 内置上电复位(POR)；页写保护功能；硬件写保护功能；内置写使能锁存器(WEL)；软件写保护功能 | |
| 工作电压 | 2.5V~5.5V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
M95010/M95020/M95040器件（M950x0）是电可擦除可编程存储器（EEPROM），分别组织为128/256/512×8位，通过SPI总线访问。M950x0-W的工作电压范围为2.5V至5.5V，M950x0-R为1.8V至5.5V，M950x0-DF为1.7V至5.5V，环境温度范围为-40℃至+85℃。M950x0-DF提供一个额外的识别页（16字节），可永久锁定为只读模式以存储敏感应用参数。
商品特性
- 兼容SPI总线串行接口（正时钟SPI模式）
- 单电源电压：M950x0-W为2.5V至5.5V；M950x0-R为1.8V至5.5V；M950x0-DF为1.7V至5.5V
- 高速20 MHz时钟速率，5 ms写入时间
- 存储阵列：1/2/4 Kbit（128/256/512字节）EEPROM
- 页大小：16字节
- 按块写保护：1/4、1/2或整个存储器
- 额外可写锁定页（识别页，适用于M950x0-DF）
- 增强型ESD保护
- 超过400万次写入周期
- 超过200年数据保留期
- 封装符合RoHS标准且无卤素（ECOPACK®）
- 封装类型：SO8（MN）宽度150 mil；TSSOP8（DW）宽度169 mil；UFDFPN8（MC）尺寸2×3 mm