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M95512-RDW6TP
512 Kbit串行SPI总线EEPROM
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- 描述
- 512 Kbit SPI总线EEPROM，带高速时钟
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- M95512-RDW6TP
- 商品编号
- C122886
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.163克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | EEPROM | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 512Kbit | |
| 时钟频率(fc) | 16MHz | |
| 写周期时间(Tw) | 5ms |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数据保留 - TDR(年) | 200年 | |
| 写周期寿命 | 400万次 | |
| 功能特性 | 内置上电复位(POR)；硬件写保护功能；内置错误纠正码(ECC)功能；内置写使能锁存器(WEL)；软件写保护功能；页写保护功能 | |
| 工作电压 | 1.8V~5.5V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
M95512系列器件是电可擦可编程存储器（EEPROM），组织形式为65536×8位，通过SPI总线访问。M95512-W的工作电压范围为2.5V至5.5V，M95512-R为1.8V至5.5V，M95512-DF为1.7V至5.5V，环境温度范围为-40℃至+85℃。M95512-D提供额外的识别页（128字节），可存储敏感应用参数并可永久锁定为只读模式。
商品特性
- 兼容串行外设接口（SPI）总线
- 存储阵列：512 Kb（64 Kbytes）EEPROM，页大小128字节
- 写入性能：字节写入时间≤5ms，页写入时间≤5ms
- 额外可锁定写入的识别页（仅M95512-D器件提供）
- 写保护功能：支持四分之一、一半或整个存储阵列的保护
- 高速时钟支持：16 MHz
- 单电源电压选项：2.5V至5.5V（M95512-W）、1.8V至5.5V（M95512-R）、1.7V至5.5V（M95512-DF）
- 工作温度范围：-40℃至+85℃
- 增强型ESD保护
- 写入循环寿命：超过400万次
- 数据 retention：超过200年
- 可用封装：SO8（MN）150 mil宽度、TSSOP8（DW）169 mil宽度、UFDFPN8（2×3 mm MC）、WLCSP（CS）
- 符合RoHS标准且无卤素（ECOPACK®）