1个N沟道 耐压:100V 电流:150A
- 1+: ¥19.122809 / 个 (折合1管956.14元)
- 100+: ¥16.453141 / 个 (折合1管822.66元)
- 250+: ¥11.433734 / 个 (折合1管571.69元)
- 1000+: ¥9.081389 / 个 (折合1管454.07元)
1+: |
¥19.122809 / 个 (折合1管956.14元) |
100+: |
¥16.453141 / 个 (折合1管822.66元) |
250+: |
¥11.433734 / 个 (折合1管571.69元) |
1000+: |
¥9.081389 / 个 (折合1管454.07元) |
商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
连续漏极电流(Id) | 150A | |
功率(Pd) | 300W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 3.6mΩ@10V,100A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3.4V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 101nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 7.93nF@50V | |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |