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SIR876ADP-T1-GE3
1个N沟道 耐压:100V 电流:40A
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- 描述
- 特性：无卤，符合IEC 61249-2-21定义。 TrenchFET功率MOSFET。 100%进行Rg和UIS测试。 符合RoHS指令2002/95/EC。应用：DC/DC初级侧开关。 电信/服务器48V，全/半桥DC/DC
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIR876ADP-T1-GE3
- 商品编号
- C114889
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.131克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14.5mΩ@4.5V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 49nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.63nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 710pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽式场效应功率 MOSFET
- 100% 进行 Rq 和 UIS 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- DC/DC 原边开关
- 电信/服务器 48 V 全/半桥 DC/DC
- 工业领域
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