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CSD88537ND
2个N沟道 耐压:60V 电流:16A
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- 描述
- CSD88537ND 采用 SO-8 封装的双路、15mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD88537ND
- 商品编号
- C117439
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.173克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@6V,8A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 133pF |
商品概述
这款双路小外形尺寸(SO)-8，60V，12.5mΩ NexFET功率MOSFET 旨在用作低电流电机控制应用中的半桥。
商品特性
- 超低Qg和Qgd
- 雪崩额定值
- 无铅
- 符合RoHS 环保标准
- 无卤素
应用领域
- 用于电机控制的半桥同步降压转换器
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
总价金额：
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