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SIS412DN-T1-GE3
1个N沟道 耐压:30V 电流:12A
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- 描述
- N沟道
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIS412DN-T1-GE3
- 商品编号
- C111309
- 商品封装
- PowerPAK1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.176克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@4.5V,7.0A | |
| 耗散功率(Pd) | 15.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 435pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 95pF |
商品概述
N沟道30V（D-S）MOSFET，PowerPAK 1212-8是PowerPAK SO-8的派生产品，采用相同的封装技术，可最大化芯片面积。芯片附着垫底部外露，为安装器件的基板提供直接、低电阻的热路径，将PowerPAK SO-8的优势融入更小的封装中，具备相同的热性能水平。其占位面积与TSOP-6相当，比标准TSSOP-8小40%以上，芯片容量是标准TSOP-6的两倍多，热性能比SO-8好一个数量级，比TSSOP-8好20倍，能利用任何PC板散热器的能力，与TSSOP-8相比，可使结温降低并提高芯片效率约20%。单和双PowerPAK 1212-8与单和双PowerPAK SO-8采用相同的引脚排列，1.05mm的低高度使其成为空间受限应用的理想选择。
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21标准的无卤产品
- TrenchFET功率MOSFET
- 100%进行Rg测试
应用领域
- 笔记本电脑-系统电源-负载开关