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SIR880DP-T1-GE3
SIR880DP-T1-GE3
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- 描述
- PowerPAK是一种新的封装的MOSFET技术，它基于SO-8封装开发，与标准SO-8具有相同的占位面积和引脚排列，可直接替代标准SO-8封装。作为无引脚封装，它利用整个SO-8占位面积，能容纳比标准SO-8更大的芯片。芯片底部的连接垫暴露，可提供直接、低电阻的热路径到安装设备的基板。此外，该封装高度低于标准SO-8，适合空间受限的应用。
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIR880DP-T1-GE3
- 商品编号
- C113409
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 104W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 74nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.44nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.525nF |
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