温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CSD25402Q3A
1个P沟道 耐压:20V 电流:72A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- CSD25402Q3A 采用 3mm x 3mm SON 封装的单通道、8.9mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD25402Q3A
- 商品编号
- C111356
- 商品封装
- VSONP-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.166克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 72A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 74mΩ@1.8V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.15V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.79nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 51pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 992pF |
商品概述
这款 -20V, 7.7mΩ 功率 MOSFET 被设计成最大限度地减少 SON 3×3 封装内的功率转换负载管理应用中的损耗，此封装类型针对器件的尺寸提供出色的热性能。
商品特性
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 低 RDS(on)
- 无铅且无卤素
- 符合 RoHS 环保标准
- 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装
应用领域
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 低 RDS(on)
- 无铅且无卤素
- 符合 RoHS 环保标准
- 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装