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PPMT2301
P沟道MOSFET
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- 描述
- 沟槽功率低压MOSFET技术。高功率和电流处理能力。低栅极电荷
- 品牌名称
- Prisemi(芯导)
- 商品型号
- PPMT2301
- 商品编号
- C1021682
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 135mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 550pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 89pF |
商品概述
沟槽功率低压MOSFET技术 高功率和电流处理能力 低栅极电荷
商品特性
- -20V、-2.3A，VGS = 4.5V 时，RDS(ON) = 100 mΩ（典型值）
- VGS = 2.5V 时，RDS(ON) = 125 mΩ（典型值）
- SOT-323 封装
应用领域
-PWM应用-负载开关-电源管理
- PPM6N12V10
- PNMT6N1-LB
- PESDLC2FD5VUH
- PESDNC2FD7VB
- PESDNC2FD7VBL
- PZ3D5V6U
- TXS0108EQPWRQ1
- MPP104J2G1004075LC
- MPP154J2G1005085LC
- MPP274J2G1305105LC
- MPP334J2G1305115LC
- MPP104J2W1004075LC
- MPP224J2W1005105LC
- MPP474J2W1905106LC
- MPP822J2J1304075LC
- MPP123J2J1304095LC
- MPP104J2J1304095LC
- MPP274J2J1905106LC
- MPP684J2J1907168LC
- MPP125J2J1910208LC
- MP2224K27C3S6LC