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PPM6N12V10
P沟道MOSFET
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- 描述
- 增强型MOS管具备极高的单元密度和较低的导通电阻。
- 品牌名称
- Prisemi(芯导)
- 商品型号
- PPM6N12V10
- 商品编号
- C1021687
- 商品封装
- DFN2x2-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@1.8V,4.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.405nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 655pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 735pF |
商品特性
~~- 沟槽功率MOSFET-可提供175°C的结温-符合RoHS标准-漏极连接到散热片
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