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PNMT6N1-LB
PNMT6N1-LB
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- 品牌名称
- Prisemi(芯导)
- 商品型号
- PNMT6N1-LB
- 商品编号
- C1021688
- 商品封装
- UDFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4Ω@4.5V,0.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 40pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
这款双N沟道功率MOSFET采用了STripFET™ F7技术，其沟槽栅极结构经过优化，可实现极低的导通电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而实现更快、更高效的开关操作。
商品特性
~~- 市场上极低的RDS(ON)-出色的品质因数(FOM)-低Crss/Ciss比,具备抗电磁干扰能力-高雪崩耐量
应用领域
- 开关应用
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