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MEM2N60A3G
N沟道 耐压:600V 电流:2A
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- 描述
- N沟道,600V,2A,4.7Ω@10V
- 品牌名称
- MICRONE(南京微盟)
- 商品型号
- MEM2N60A3G
- 商品编号
- C107690
- 商品封装
- TO-220F(TO-220IS)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.76克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5Ω@10V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | 41W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.84nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 347pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 61pF |
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